文章摘要:采用化学原位聚合法制备纳米级聚吡咯（PPy）,对硅烷偶联剂KH-792进行掺杂改性,以提高硅烷膜的耐蚀性。通过电化学阻抗谱（EIS）确定聚吡咯对于硅烷溶液的最佳掺杂量,即得到耐蚀性最佳的改性硅烷膜,将此改性硅烷膜浸泡腐蚀不同时间,并与相同腐蚀条件下的单一硅烷膜比较,通过电化学阻抗谱及等效拟合电路数据,探讨改性硅烷膜的耐蚀机理。结果表明,PPy改性KH-792硅烷膜与单一KH-792硅烷膜相比,耐蚀性明显提高,约为单一硅烷膜的4倍。改性硅烷膜在腐蚀初期的耐蚀性主要来自膜层的机械屏蔽作用,腐蚀中后期则是聚吡咯在基片表面形成了钝化膜。

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论文作者:许潇雨 李丽 王建荣 段广彬 

论文DOI:10.13732/j.issn.1008-5548.2021.06.008

论文分类号:TG174.4